描述  

SA2184是一款针对于双NMOS的半桥栅 极驱动芯片，专为高压、高速驱动N型功 率MOSFET和IGBT设计，可在高达250V 电压下工作。

 SA2184内置VCC和VBS欠压（UVLO）保 护功能，防止功率管在过低的电压下工作， 提高效率。

 SA2184输入脚兼容3.3-15.0V输入逻辑， 集成防穿通死区时间为200ns，驱动能力 为+1.0A/-1.5A。 

SA2184采用SOP8封装。

特性

 ⚫ 悬浮绝对电压: 250V 

 ⚫ 电源电压工作范围:10.0-20.0V 

 ⚫ 兼容3.3/5/15V输入逻辑 

⚫ 驱动电流:+1.0A/-1.5A(typ.) 

⚫ 死区时间: 200ns (typ.) 

⚫ 集成VCC和VBS欠压保护 

⚫ SOP8 封装 典型应用 

 ⚫ 马达驱动 

⚫ 半桥电源 

⚫ 全桥电源

应用说明

 低侧电源 

VCC 是低侧电源,它为输入逻辑和低侧输出功率级提供电源。内置欠压锁定电路使器件能够在 VCC 高 于 VCCUV+(8.35V) 的典型电源电压时,以足够的电源工作,如图 1 所示。当 VCC 电源电压低于 VCCUV- (7.75V) 时,IC 关闭栅极驱动器输出,如图 1 所示。这样可以防止外部功率器件在通电期间处于极低的栅 极电压水平,从而防止功耗过高。

高侧电源 

VB 到 VS 是高侧电源电压。高侧电路可以随外部高侧功率器件的極器/源極电压相对于 COM 浮动。由 于内部功耗低,整个高边电路可通过连接到 VCC 的靴带式抬压拓扑提供,并且可以通过 PIN VB 和 PIN  VS 之间的小型靴带式电容器供电。图 2 给出了器件作为电源电压的函数的工作区域。