描述
SA2106是一款针对于双NMOS的半桥栅
极驱动芯片，专为高压、高速驱动N型功
率MOSFET和IGBT设计，可在高达60V电
压下工作。
SA2106内置VCC（UVLO）保护功能，防
止功率管在过低的电压下工作，提高效率。
SA2106输入脚兼容3.3/5.0V输入逻辑，集
成防穿通死区时间为200ns，驱动能力为
+1.0A/-1.5A。
SA2106采用SOP8和DFN3X3-8封装。
特性
 悬浮绝对电压: 60V
 电源电压工作范围: 5.0-20.0V
 IO兼容3.3/5V输入逻辑
 驱动电流:+1.0A/-1.5A(typ.)
 死区时间: 200ns (typ.)
 集成VCC欠压保护
 单线控制集成10k下拉电阻
 SOP8, DFN3X3-8 封装
典型应用
 马达驱动